Олег Ларин
Олег Ларин

Эволюция корпоративных SSD: от простых решений к многоуровневой архитектуре

11 минут
37
0

Новая парадигма корпоративных накопителей: пять специализированных направлений

Современный рынок корпоративных SSD преодолел простое разделение на устройства, ориентированные на чтение (read-intensive) или запись (write-intensive). Разнообразие рабочих нагрузок и растущие объёмы данных требуют более сложных и гибких архитектур. В ответ на эти вызовы производители предлагают как минимум пять специализированных направлений развития SSD:

  • Быстрее (Z-NAND/XL-Flash) – для приложений, чувствительных к задержкам.
  • Дешевле (QLC/PLC) – для задач, ориентированных на ёмкость.
  • «Холоднее» (ZNS) – для последовательной записи архивных данных.
  • Умнее (Computational Storage) – для выгрузки вычислений на накопитель.
  • Универсальнее (TLC) – оптимальный баланс производительности и стоимости.

 

  1. Быстрее: новое поколение low-latency решений

    Рынок корпоративных накопителей для приложений с низкими задержками (ultra-low latency) к 2025 году существенно изменился. Если ранее технологии Samsung Z-NAND и Kioxia XL-Flash рассматривались как ключевые альтернативы Intel Optane, то сейчас ситуация выглядит иначе. Samsung Z-NAND (Z-SSD PM1735a) фактически прекратил активное развитие:

    • Латентность: чтение <20 мкс, запись ~30 мкс
    • Ресурс: 30 DWPD (5-летняя гарантия)
    • Максимальная ёмкость: 800 ГБ
    • Причина снижения активности: высокая стоимость и ограниченный спрос.

    Kioxia XL-Flash (на основе 3D SLC NAND) стал основной альтернативой:

    • Латентность: <15 мкс
    • Ресурс: до 50 DWPD
    • Максимальная ёмкость: до 3,2 ТБ
    • Активное внедрение в AI/ML и базах данных
    • Причина снижения активности: высокая стоимость и ограниченный спрос.

    Однако на горизонте уже заметны более перспективные технологии:

    1. CXL Memory Pooling (Samsung, Micron): латентность <10 мкс, объединение памяти и хранилищ.
    2. Оптимизированные TLC SSD (Samsung PM1733, Micron 7450 MAX): латентность ~50 мкс, идеальны по соотношению цена-производительность.

    Практические рекомендации

    1. Экстремально низкие задержки: Kioxia XL-Flash (CM6, FL6).
    2. Оптимальный баланс цены и производительности: TLC SSD (Samsung PM1733).
    3. Высокая ёмкость с приемлемой задержкой: QLC SSD с SCM-кэшированием (Solidigm D5-P5316).
  2. Дешевле: как QLC и PLC меняют экономику хранения данных

    Современные QLC-накопители (четыре бита на ячейку) достигли зрелости и стали ключевым решением для приложений, где важна ёмкость и низкая
    стоимость за гигабайт. Типичная QLC-технология в 2024 году подразумевает:

    1. Адаптивные SLC/TLC-кэши (10–25% ёмкости) для компенсации низкой скорости
      записи.
    2. Over-Provisioning до 40% в корпоративных моделях для увеличения ресурса.
    3. Использование Zoned Namespaces (ZNS) для снижения коэффициента усиления
      записи (WA).

     

    При этом на горизонте активно появляется технология PLC (пять бит на ячейку), предлагающая ещё большую плотность, но со значительными ограничениями:

    1. Выносливость всего 50–100 P/E циклов, подходит только для сценариев записи один раз и множества чтений (Write-Once-Read-Many).
    2. Требует продвинутых механизмов коррекции ошибок (например, на основе алгоритмов машинного обучения).
    3. Потенциальная нестабильность при плотностях выше 200 слоёв 3D NAND.

    Типичные сценарии применения:

    1. QLC + ZNS: Тёплые данные, аналитические системы, «облачные» сервисы с низкой интенсивностью записи.
    2. PLC: Архивное хранение, холодные хранилища, замена ленточных библиотек.

    Актуальные модели SSD:

    1. QLC: Solidigm D5-P5316, Samsung PM9A3, WD Ultrastar DC SN650.
    2. PLC: пока на стадии прототипов, коммерческое внедрение ожидается после 2025 года.

     

  3. «Холоднее»: ZNS – флеш-аналог SMR

    Технология Zoned Namespace (ZNS) меняет подход к управлению флеш-памятью, аналогично тому, как SMR повлиял на HDD. Вместо случайной записи данные записываются строго последовательно в выделенные зоны, что позволяет значительно снизить коэффициент усиления записи (Write Amplification, WA):

    Характеристика Стандартный SSD ZNS SSD
    Запись Случайная (random) Последовательная
    Управление Встроенный FTL Host-managed (управление ОС)
    WA Высокий (3–5+) Низкий (около 1,1–1,3)
    Преимущество Простота внедрения Высокая эффективность

    Сравнение технологий корпоративных SSD для ЦОД и ИИ в 2025 году

    Ключевые преимущества ZNS:

    • Увеличенный ресурс SSD (за счёт низкого WA)
    • Стабильная производительность записи
    • Более предсказуемая латентность в задачах архивации и потокового
      хранения

     

    Ключевые вызовы внедрения:

    • Требуется поддержка со стороны ОС (Linux kernel 5.9+)
    • Использование специализированных файловых систем (например, ZoneFS или
      F2FS)
    • Адаптация программного обеспечения для оптимального размещения данных

     

    Примеры современных ZNS SSD:

    • Samsung PM1731a
    • Kioxia CM6-R ZNS
    • Western Digital Ultrastar DC ZN540

     

  4. Умнее: Computational Storage и перенос вычислений на накопитель

    Концепция Computational Storage подразумевает перенос части вычислительных операций непосредственно на устройство хранения данных. Это позволяет существенно снизить нагрузку на CPU и сетевую инфраструктуру, ускоряя обработку данных и сокращая задержки доступа.

    Типичные уровни оффлоада (2024):

    1. Базовый уровень:
      Фильтрация и предварительная обработка данных на SSD (например, сжатие или простейшие фильтры).
    2. Промежуточный уровень:
      Выполнение SQL-запросов и аналитики данных (например, выборки и агрегация данных).
    3. Продвинутый уровень:
      Запуск AI/ML-инференса и специализированных алгоритмов обработки данных.

    Современные примеры устройств:

    • Samsung SmartSSD (FPGA-ускорение, поддержка AI-инференса)
    • ScaleFlux CSD (ускорение баз данных и аналитики)

    Преимущества Computational Storage:

    1. Снижение нагрузки на центральные процессоры и сеть
    2. Уменьшение общего энергопотребления ЦОД
    3. Возможность предварительной обработки данных «на лету»

    Ключевые ограничения:

    1. Ограниченная стандартизация (риск vendor lock-in)
    2. Необходимость специализированных SDK и адаптации ПО

    Рекомендуемые сценарии использования:

    1. Аналитические базы данных
    2. AI/ML-ориентированные приложения
    3. Edge-инфраструктура (где ресурсы CPU ограничены)

     

  5. Универсальнее: эволюция TLC и универсальные корпоративные SSD

    Технология TLC NAND (три бита на ячейку) остаётся основной для корпоративных SSD, благодаря хорошему балансу между производительностью, ресурсом и стоимостью. В сочетании с современными контроллерами и прошивками TLC-накопители обслуживают широкий спектр рабочих нагрузок – от транзакционных баз данных до виртуализированных сред.

    Ключевые технологические улучшения в 2024 году:

    1. 176–232-слойная 3D NAND (Micron, SK hynix, Samsung)
    2. Контроллеры с параллельной архитектурой (до 8 NAND-каналов, многоплоскостной доступ)
    3. Прогнозируемая производительность и QoS (средняя латентность < 100 мкс, 99.999% доступности)
    4. Форм-факторы высокой плотности: E1.S, E3.S и U.3 позволяют размещать до 30 ТБ на накопитель

     

    Преимущества TLC SSD:

    1. Баланс: хорошая производительность при умеренной цене
    2. Универсальность: подходят для read/write-смешанных нагрузок
    3. Поддержка enterprise-функций: шифрование, защитные механизмы, hot-plug, NVMe-oF

     

    Рекомендуемые модели (2024):

    • Micron 7450 MAX / PRO
    • Samsung PM1733
    • Solidigm P5520
    • Kioxia CD7 (PCIe Gen5)

    Эти устройства используются как в традиционных массивах, так и в hyper-converged инфраструктуре, обеспечивая надёжность, масштабируемость и экономическую эффективность.

Заключение: хранилище как архитектура, а не просто устройство

Мир корпоративных SSD окончательно вышел за рамки простого выбора между «дешево» и «быстро». Современные решения формируют многослойную архитектуру хранения, где каждый класс флеш-памяти и контроллерной логики занимает своё место:

  • Z-NAND и XL-Flash обслуживают узкую нишу latency-критичных задач.
  • TLC SSD остаются основой универсальной инфраструктуры с предсказуемым качеством обслуживания.
  • QLC и ZNS позволяют нарастить объём без существенных потерь в ресурсе.
  • PLC уже готовится занять место в холодных хранилищах и заменить ленточные технологии.
  • Computational Storage и CXL открывают новую эру – там, где данные обрабатываются «на месте», а не просто хранятся.

Таким образом, корпоративное хранилище становится не монолитом, а системой с гибкой логикой размещения данных, где горячие, тёплые и холодные уровни сосуществуют и управляются программно.

Главный вывод:

Компании, инвестирующие в гибкую и многоуровневую флеш-архитектуру, получат преимущество в производительности, масштабируемости и экономике владения – особенно в эпоху ИИ, телеметрии и повсеместной виртуализации.

Сравнительная матрица технологий корпоративных SSD

Тип технологии Задержка (мкс) Случайные IOPS (4K) Последовательная пропускная способность Показатель выносливости Ценовая категория за ГБ Диапазон ёмкости Энергоэффективность Форм-факторы Основные сценарии применения
Z-NAND Чтение: 8–15
Запись: 15–25
Чтение: 750K
Запись: 170K
Чтение: 3,2 ГБ/с
Запись: 2,0 ГБ/с
30 DWPD Очень высокая
(10–15× TLC)
400ГБ – 800ГБ 8–12Вт на ТБ U.2, M.2 БД с ультранизкой задержкой, аналитика в реальном времени, scratch-хранилище HPC
XL-Flash (SLC) Чтение: 6–12
Запись: 12–20
Чтение: 900K
Запись: 200K
Чтение: 4,0 ГБ/с
Запись: 2,5 ГБ/с
50 DWPD Очень высокая
(12–18× TLC)
800ГБ – 3,2ТБ 10–15Вт на ТБ U.2, U.3, E1.S Критичные OLTP, AI/ML инференс, торговые финансовые системы
TLC Универсальные Чтение: 20–40
Запись: 30–60
Чтение: 650K
Запись: 180K
Чтение: 7,0 ГБ/с
Запись: 6,0 ГБ/с
1–3 DWPD Базовая
(1× эталон)
960ГБ – 30ТБ 5–8Вт на ТБ U.2, U.3, E1.S, E3.S Смешанные нагрузки, виртуализация, общее корпоративное хранение, загрузочные диски
QLC Ёмкостные Чтение: 50–100
Запись: 100–300
Чтение: 450K
Запись: 50K*
Чтение: 6,5 ГБ/с
Запись: 3,0 ГБ/с*
0,3–1 DWPD Низкая
(0,3–0,5× TLC)
3,84ТБ – 30ТБ 4–6Вт на ТБ U.2, U.3, E3.S Доставка контента, тёплые данные, резервное копирование, архивы аналитики
PLC Архивные Чтение: 100–200
Запись: 500–1000
Чтение: 200K
Запись: 10K*
Чтение: 5,0 ГБ/с
Запись: 1,0 ГБ/с*
0,1 DWPD Очень низкая
(0,1–0,2× TLC)
7,68ТБ – 60ТБ+ 3–5Вт на ТБ U.3, E3.S Холодное хранение, архивы соответствия, резервные уровни, замена ленточных библиотек
ZNS Последовательные Чтение: 30–50
Запись: 40–80
Чтение: 500K
Запись: 100K**
Чтение: 6,0 ГБ/с
Запись: 5,5 ГБ/с
3–10 DWPD Средняя
(0,8–1, 2× TLC)
1,92ТБ – 15ТБ 5–7Вт на ТБ U.2, U.3 Лог-структурированное хранение, базы временных рядов, потоковые данные, объектное хранение
Computational Чтение: 25–50
Запись: 40–70
Чтение: 400K
Запись: 120K
Чтение: 5,5 ГБ/с
Запись: 4,0 ГБ/с
1–5 DWPD Высокая
(2–4× TLC)
1,92ТБ – 7,68ТБ 12–20Вт на ТБ U.2, CXL Внутрихранилищные вычисления, граничный ИИ, ускорение БД, поиск/аналитика

Примечания по производительности:

* Производительность записи QLC/PLC показана после исчерпания SLC-кэша. Пиковая производительность с кэшированием значительно выше (приближается к уровню TLC).

** Производительность ZNS предполагает последовательные паттерны записи. Случайная запись может показывать сниженную производительность в зависимости от управления зонами.

Ключевые спецификации:

  • Задержка: Значения 99-го процентиля при типичных корпоративных нагрузках
  • IOPS: Устойчивая производительность, не пиковые всплески
  • Пропускная способность: Последовательная производительность чтения/записи при оптимальной глубине очереди
  • Выносливость: Количество полных перезаписей диска в день в течение гарантийного периода (обычно 5 лет)
  • Стоимость/ГБ: Относительная цена по сравнению с базовым TLC
  • Энергопотребление: Активное потребление энергии при типичных смешанных нагрузках

 

Статус зрелости технологий:

  • Готовы к промышленному использованию: Z-NAND, XL-Flash, TLC, QLC, ZNS
  • Раннее внедрение: Computational Storage (ограниченная экосистема)
  • Развивающиеся: PLC (прототипы и ограниченная коммерческая доступность)

 

Поддержка форм-факторов:

  • U.2: Корпоративный стандарт 2,5″
  • U.3: Универсальный слот с поддержкой SAS и NVMe
  • E1.S: Форм-фактор Enterprise & Data Center SSD (высота 15мм)
  • E3.S: Длинный форм-фактор для максимальной плотности ёмкости
  • CXL: Compute Express Link для доступа с семантикой памяти

 

FavoriteLoadingОтслеживать

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Максимальный размер загружаемого файла: 0 Б. Вы можете загрузить: изображение, аудио, видео, документ, таблица, интерактив, текст, архив, код, другое. Ссылки на YouTube, Facebook, Twitter и другие сервисы, вставленные в текст комментария, будут автоматически встроены. Перетащите файл сюда

Последние статьи

Top
🗙

    Обратная связь