Новая парадигма корпоративных накопителей: пять специализированных направлений
Современный рынок корпоративных SSD преодолел простое разделение на устройства, ориентированные на чтение (read-intensive) или запись (write-intensive). Разнообразие рабочих нагрузок и растущие объёмы данных требуют более сложных и гибких архитектур. В ответ на эти вызовы производители предлагают как минимум пять специализированных направлений развития SSD:
- Быстрее (Z-NAND/XL-Flash) – для приложений, чувствительных к задержкам.
- Дешевле (QLC/PLC) – для задач, ориентированных на ёмкость.
- «Холоднее» (ZNS) – для последовательной записи архивных данных.
- Умнее (Computational Storage) – для выгрузки вычислений на накопитель.
- Универсальнее (TLC) – оптимальный баланс производительности и стоимости.
-
Быстрее: новое поколение low-latency решений
Рынок корпоративных накопителей для приложений с низкими задержками (ultra-low latency) к 2025 году существенно изменился. Если ранее технологии Samsung Z-NAND и Kioxia XL-Flash рассматривались как ключевые альтернативы Intel Optane, то сейчас ситуация выглядит иначе. Samsung Z-NAND (Z-SSD PM1735a) фактически прекратил активное развитие:
- Латентность: чтение <20 мкс, запись ~30 мкс
- Ресурс: 30 DWPD (5-летняя гарантия)
- Максимальная ёмкость: 800 ГБ
- Причина снижения активности: высокая стоимость и ограниченный спрос.
Kioxia XL-Flash (на основе 3D SLC NAND) стал основной альтернативой:
- Латентность: <15 мкс
- Ресурс: до 50 DWPD
- Максимальная ёмкость: до 3,2 ТБ
- Активное внедрение в AI/ML и базах данных
- Причина снижения активности: высокая стоимость и ограниченный спрос.
Однако на горизонте уже заметны более перспективные технологии:
- CXL Memory Pooling (Samsung, Micron): латентность <10 мкс, объединение памяти и хранилищ.
- Оптимизированные TLC SSD (Samsung PM1733, Micron 7450 MAX): латентность ~50 мкс, идеальны по соотношению цена-производительность.
Практические рекомендации
- Экстремально низкие задержки: Kioxia XL-Flash (CM6, FL6).
- Оптимальный баланс цены и производительности: TLC SSD (Samsung PM1733).
- Высокая ёмкость с приемлемой задержкой: QLC SSD с SCM-кэшированием (Solidigm D5-P5316).
-
Дешевле: как QLC и PLC меняют экономику хранения данных
Современные QLC-накопители (четыре бита на ячейку) достигли зрелости и стали ключевым решением для приложений, где важна ёмкость и низкая
стоимость за гигабайт. Типичная QLC-технология в 2024 году подразумевает:- Адаптивные SLC/TLC-кэши (10–25% ёмкости) для компенсации низкой скорости
записи. - Over-Provisioning до 40% в корпоративных моделях для увеличения ресурса.
- Использование Zoned Namespaces (ZNS) для снижения коэффициента усиления
записи (WA).
При этом на горизонте активно появляется технология PLC (пять бит на ячейку), предлагающая ещё большую плотность, но со значительными ограничениями:
- Выносливость всего 50–100 P/E циклов, подходит только для сценариев записи один раз и множества чтений (Write-Once-Read-Many).
- Требует продвинутых механизмов коррекции ошибок (например, на основе алгоритмов машинного обучения).
- Потенциальная нестабильность при плотностях выше 200 слоёв 3D NAND.
Типичные сценарии применения:
- QLC + ZNS: Тёплые данные, аналитические системы, «облачные» сервисы с низкой интенсивностью записи.
- PLC: Архивное хранение, холодные хранилища, замена ленточных библиотек.
Актуальные модели SSD:
- QLC: Solidigm D5-P5316, Samsung PM9A3, WD Ultrastar DC SN650.
- PLC: пока на стадии прототипов, коммерческое внедрение ожидается после 2025 года.
- Адаптивные SLC/TLC-кэши (10–25% ёмкости) для компенсации низкой скорости
-
«Холоднее»: ZNS – флеш-аналог SMR
Технология Zoned Namespace (ZNS) меняет подход к управлению флеш-памятью, аналогично тому, как SMR повлиял на HDD. Вместо случайной записи данные записываются строго последовательно в выделенные зоны, что позволяет значительно снизить коэффициент усиления записи (Write Amplification, WA):
Характеристика Стандартный SSD ZNS SSD Запись Случайная (random) Последовательная Управление Встроенный FTL Host-managed (управление ОС) WA Высокий (3–5+) Низкий (около 1,1–1,3) Преимущество Простота внедрения Высокая эффективность Сравнение технологий корпоративных SSD для ЦОД и ИИ в 2025 году
Ключевые преимущества ZNS:
- Увеличенный ресурс SSD (за счёт низкого WA)
- Стабильная производительность записи
- Более предсказуемая латентность в задачах архивации и потокового
хранения
Ключевые вызовы внедрения:
- Требуется поддержка со стороны ОС (Linux kernel 5.9+)
- Использование специализированных файловых систем (например, ZoneFS или
F2FS) - Адаптация программного обеспечения для оптимального размещения данных
Примеры современных ZNS SSD:
- Samsung PM1731a
- Kioxia CM6-R ZNS
- Western Digital Ultrastar DC ZN540
-
Умнее: Computational Storage и перенос вычислений на накопитель
Концепция Computational Storage подразумевает перенос части вычислительных операций непосредственно на устройство хранения данных. Это позволяет существенно снизить нагрузку на CPU и сетевую инфраструктуру, ускоряя обработку данных и сокращая задержки доступа.
Типичные уровни оффлоада (2024):
- Базовый уровень:
Фильтрация и предварительная обработка данных на SSD (например, сжатие или простейшие фильтры). - Промежуточный уровень:
Выполнение SQL-запросов и аналитики данных (например, выборки и агрегация данных). - Продвинутый уровень:
Запуск AI/ML-инференса и специализированных алгоритмов обработки данных.
Современные примеры устройств:
- Samsung SmartSSD (FPGA-ускорение, поддержка AI-инференса)
- ScaleFlux CSD (ускорение баз данных и аналитики)
Преимущества Computational Storage:
- Снижение нагрузки на центральные процессоры и сеть
- Уменьшение общего энергопотребления ЦОД
- Возможность предварительной обработки данных «на лету»
Ключевые ограничения:
- Ограниченная стандартизация (риск vendor lock-in)
- Необходимость специализированных SDK и адаптации ПО
Рекомендуемые сценарии использования:
- Аналитические базы данных
- AI/ML-ориентированные приложения
- Edge-инфраструктура (где ресурсы CPU ограничены)
- Базовый уровень:
-
Универсальнее: эволюция TLC и универсальные корпоративные SSD
Технология TLC NAND (три бита на ячейку) остаётся основной для корпоративных SSD, благодаря хорошему балансу между производительностью, ресурсом и стоимостью. В сочетании с современными контроллерами и прошивками TLC-накопители обслуживают широкий спектр рабочих нагрузок – от транзакционных баз данных до виртуализированных сред.
Ключевые технологические улучшения в 2024 году:
- 176–232-слойная 3D NAND (Micron, SK hynix, Samsung)
- Контроллеры с параллельной архитектурой (до 8 NAND-каналов, многоплоскостной доступ)
- Прогнозируемая производительность и QoS (средняя латентность < 100 мкс, 99.999% доступности)
- Форм-факторы высокой плотности: E1.S, E3.S и U.3 позволяют размещать до 30 ТБ на накопитель
Преимущества TLC SSD:
- Баланс: хорошая производительность при умеренной цене
- Универсальность: подходят для read/write-смешанных нагрузок
- Поддержка enterprise-функций: шифрование, защитные механизмы, hot-plug, NVMe-oF
Рекомендуемые модели (2024):
- Micron 7450 MAX / PRO
- Samsung PM1733
- Solidigm P5520
- Kioxia CD7 (PCIe Gen5)
Эти устройства используются как в традиционных массивах, так и в hyper-converged инфраструктуре, обеспечивая надёжность, масштабируемость и экономическую эффективность.
Заключение: хранилище как архитектура, а не просто устройство
Мир корпоративных SSD окончательно вышел за рамки простого выбора между «дешево» и «быстро». Современные решения формируют многослойную архитектуру хранения, где каждый класс флеш-памяти и контроллерной логики занимает своё место:
- Z-NAND и XL-Flash обслуживают узкую нишу latency-критичных задач.
- TLC SSD остаются основой универсальной инфраструктуры с предсказуемым качеством обслуживания.
- QLC и ZNS позволяют нарастить объём без существенных потерь в ресурсе.
- PLC уже готовится занять место в холодных хранилищах и заменить ленточные технологии.
- Computational Storage и CXL открывают новую эру – там, где данные обрабатываются «на месте», а не просто хранятся.
Таким образом, корпоративное хранилище становится не монолитом, а системой с гибкой логикой размещения данных, где горячие, тёплые и холодные уровни сосуществуют и управляются программно.
Главный вывод:
Компании, инвестирующие в гибкую и многоуровневую флеш-архитектуру, получат преимущество в производительности, масштабируемости и экономике владения – особенно в эпоху ИИ, телеметрии и повсеместной виртуализации.
Сравнительная матрица технологий корпоративных SSD
Тип технологии | Задержка (мкс) | Случайные IOPS (4K) | Последовательная пропускная способность | Показатель выносливости | Ценовая категория за ГБ | Диапазон ёмкости | Энергоэффективность | Форм-факторы | Основные сценарии применения |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Z-NAND | Чтение: 8–15 Запись: 15–25 |
Чтение: 750K Запись: 170K |
Чтение: 3,2 ГБ/с Запись: 2,0 ГБ/с |
30 DWPD | Очень высокая (10–15× TLC) |
400ГБ – 800ГБ | 8–12Вт на ТБ | U.2, M.2 | БД с ультранизкой задержкой, аналитика в реальном времени, scratch-хранилище HPC |
XL-Flash (SLC) | Чтение: 6–12 Запись: 12–20 |
Чтение: 900K Запись: 200K |
Чтение: 4,0 ГБ/с Запись: 2,5 ГБ/с |
50 DWPD | Очень высокая (12–18× TLC) |
800ГБ – 3,2ТБ | 10–15Вт на ТБ | U.2, U.3, E1.S | Критичные OLTP, AI/ML инференс, торговые финансовые системы |
TLC Универсальные | Чтение: 20–40 Запись: 30–60 |
Чтение: 650K Запись: 180K |
Чтение: 7,0 ГБ/с Запись: 6,0 ГБ/с |
1–3 DWPD | Базовая (1× эталон) |
960ГБ – 30ТБ | 5–8Вт на ТБ | U.2, U.3, E1.S, E3.S | Смешанные нагрузки, виртуализация, общее корпоративное хранение, загрузочные диски |
QLC Ёмкостные | Чтение: 50–100 Запись: 100–300 |
Чтение: 450K Запись: 50K* |
Чтение: 6,5 ГБ/с Запись: 3,0 ГБ/с* |
0,3–1 DWPD | Низкая (0,3–0,5× TLC) |
3,84ТБ – 30ТБ | 4–6Вт на ТБ | U.2, U.3, E3.S | Доставка контента, тёплые данные, резервное копирование, архивы аналитики |
PLC Архивные | Чтение: 100–200 Запись: 500–1000 |
Чтение: 200K Запись: 10K* |
Чтение: 5,0 ГБ/с Запись: 1,0 ГБ/с* |
0,1 DWPD | Очень низкая (0,1–0,2× TLC) |
7,68ТБ – 60ТБ+ | 3–5Вт на ТБ | U.3, E3.S | Холодное хранение, архивы соответствия, резервные уровни, замена ленточных библиотек |
ZNS Последовательные | Чтение: 30–50 Запись: 40–80 |
Чтение: 500K Запись: 100K** |
Чтение: 6,0 ГБ/с Запись: 5,5 ГБ/с |
3–10 DWPD | Средняя (0,8–1, 2× TLC) |
1,92ТБ – 15ТБ | 5–7Вт на ТБ | U.2, U.3 | Лог-структурированное хранение, базы временных рядов, потоковые данные, объектное хранение |
Computational | Чтение: 25–50 Запись: 40–70 |
Чтение: 400K Запись: 120K |
Чтение: 5,5 ГБ/с Запись: 4,0 ГБ/с |
1–5 DWPD | Высокая (2–4× TLC) |
1,92ТБ – 7,68ТБ | 12–20Вт на ТБ | U.2, CXL | Внутрихранилищные вычисления, граничный ИИ, ускорение БД, поиск/аналитика |
Примечания по производительности:
* Производительность записи QLC/PLC показана после исчерпания SLC-кэша. Пиковая производительность с кэшированием значительно выше (приближается к уровню TLC).
** Производительность ZNS предполагает последовательные паттерны записи. Случайная запись может показывать сниженную производительность в зависимости от управления зонами.
Ключевые спецификации:
- Задержка: Значения 99-го процентиля при типичных корпоративных нагрузках
- IOPS: Устойчивая производительность, не пиковые всплески
- Пропускная способность: Последовательная производительность чтения/записи при оптимальной глубине очереди
- Выносливость: Количество полных перезаписей диска в день в течение гарантийного периода (обычно 5 лет)
- Стоимость/ГБ: Относительная цена по сравнению с базовым TLC
- Энергопотребление: Активное потребление энергии при типичных смешанных нагрузках
Статус зрелости технологий:
- Готовы к промышленному использованию: Z-NAND, XL-Flash, TLC, QLC, ZNS
- Раннее внедрение: Computational Storage (ограниченная экосистема)
- Развивающиеся: PLC (прототипы и ограниченная коммерческая доступность)
Поддержка форм-факторов:
- U.2: Корпоративный стандарт 2,5″
- U.3: Универсальный слот с поддержкой SAS и NVMe
- E1.S: Форм-фактор Enterprise & Data Center SSD (высота 15мм)
- E3.S: Длинный форм-фактор для максимальной плотности ёмкости
- CXL: Compute Express Link для доступа с семантикой памяти

